半导体结构及其形成方法、sram存储单元、sram存储器

Abstract

一种半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器。半导体结构,包括:形成于半导体衬底上的至少两个相邻晶体管;两个相邻晶体管的栅极、位于两个相邻晶体管栅极之间的掺杂区围成一开口;覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。另一种半导体结构,包括:形成于半导体衬底上的第一晶体管和第二晶体管;第一晶体管的栅极中绝缘层仅覆盖栅电极层远离第二晶体管掺杂区的一部分;绝缘层、绝缘层露出的第一晶体管的栅电极层、第二晶体管掺杂区、第二晶体管的栅极围成一开口;覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。本发明还提供所述半导体结构的形成方法、包括所述半导体结构的SRAM存储单元和SRAM存储器。本发明能减小半导体结构面积。

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      CN-1231515-AOctober 13, 1999日本电气株式会社高电阻负载静态型ram及其制造方法
      CN-1855472-ANovember 01, 2006台湾积体电路制造股份有限公司半导体装置以及用于形成sram单元的方法

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