基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法

Abstract

基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法,涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大,双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术,制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构,能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响,显著增强双极器件的抗辐照能力,同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。

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      CN-102104062-AJune 22, 2011上海华虹Nec电子有限公司Bipolar transistor
      US-4654687-AMarch 31, 1987Francois HebertHigh frequency bipolar transistor structures

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