一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法

Abstract

本发明提供了一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法,包括:形成第一层金属层;在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层,其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程;对低介电常数薄膜进行紫外线固化;在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。

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      CN-101226922-AJuly 23, 2008国际商业机器公司SiCOH电介质材料和成形方法
      CN-103871963-AJune 18, 2014上海华力微电子有限公司一种低介电常数薄膜的成膜方法

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